[发明专利]非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法有效
| 申请号： | 201310677119.8 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103872292B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边浩一朗 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法。提供可获得维持氧化硅的高电池容量，且初次充放电效率高，循环特性方面优异的非水电解质二次电池的作为负极活性物质有效的被覆颗粒及制造方法以及具有采用其的负极的锂离子二次电池及电化学电容器。由具有碳被膜的被覆颗粒组成的负极活性物质的制造方法将选自氧化硅颗粒、具有硅纳米颗粒分散于硅氧化物中的结构的复合颗粒及它们的混合颗粒的颗粒不通入有机物气体进行热处理后，将获得的热处理颗粒在有机物气体中进行化学气相沉积（CVD）处理；其特征在于将上述热处理的温度（热处理中的最高温度）设为T1，将化学气相沉积处理中的温度（化学气相沉积处理中的最高温度）设为T2，且T1＞T2。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 负极 活性 物质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
由具有碳被膜的被覆颗粒组成的非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法，其将选自氧化硅颗粒、具有硅纳米颗粒分散于硅氧化物中的结构的复合颗粒及它们的混合颗粒的颗粒在不通入有机物气体下进行热处理后，对所获得的热处理颗粒在有机物气体中进行化学气相沉积(CVD)处理，其特征在于，所述被覆颗粒的BET比表面积为0.5～4.0m2/g，上述热处理的温度T1为900～1200℃，化学气相沉积处理中的温度T2为850～1150℃，上述T1和T2的关系为T1＞T2。
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