[发明专利]坩埚涂层结构、制备方法及坩埚在审
申请号: | 201310676681.9 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN104711671A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 何钊煊;裴亮;邓亮亮;孙前颂;潘守明 | 申请(专利权)人: | 徐州协鑫太阳能材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06;B32B9/04;C04B41/85;C04B41/89 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 221116 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种多晶硅铸锭用的坩埚涂层结构,该涂层结构包括涂敷于坩埚基底上的第一涂层及涂敷于第一涂层上的第二涂层;坩埚基底上涂敷有能够抑制坩埚本体中杂质向熔融硅液中扩散的第一涂层以及第二涂层,从而有效提高铸锭良率。第一涂层为硅晶体及氮化硅中的至少一种与石英砂的混合物,第二涂层的材料为氮化硅。其中,第一涂层的材料均为能够产生形核点的颗粒,这些颗粒能够有效引导硅晶体成核,从而提高多晶硅铸锭的生产质量,并提升多晶硅铸锭良率。此外,本发明还揭示了具有上述坩埚涂层结构的坩埚及上述坩埚涂层结构的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 坩埚 涂层 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种坩埚涂层结构,其特征在于,包括涂敷于所述坩埚基底上的第一涂层及涂敷于所述第一涂层上的第二涂层;所述第一涂层的材料为硅晶体及氮化硅中的至少一种与石英砂的混合物,所述第二涂层的材料为氮化硅。
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