[发明专利]LED结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310676275.2 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716239A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED结构及其形成方法。其中该LED结构包括：衬底；第一掺杂类型氮化物半导体层；第一电极；多量子阱，多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，阱层中具有p型掺杂区，其中，当第一掺杂类型为n型时，p型掺杂区位于阱层的前端，或者，当第一掺杂类型为p型时，p型掺杂区位于阱层的后端；第二掺杂类型氮化物半导体层；以及第二电极。本发明的LED结构通过在阱区局部进行p型掺杂，使阱区内部的空穴浓度得到明显提升，同时增加了电子与空穴的波函数分布重合概率，最终使发光效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED结构，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂类型氮化物半导体层，所述第一掺杂类型氮化物半导体层位于所述衬底上；第一电极，所述第一电极位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第一区域上；多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第二区域上，所述多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，所述阱层中具有p型掺杂区，其中，当所述第一掺杂类型为n型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的前端，或者，当所述第一掺杂类型为p型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的后端；第二掺杂类型氮化物半导体层，所述第二掺杂类型氮化物半导体层位于所述多量子阱上；第二电极，所述第二电极位于所述第二掺杂类型氮化物半导体层上。
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