[发明专利]形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310675942.5 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872200A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李成淑;金沃炫;李东律;李东柱;李庭旭;李宪昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 方法 发光 器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种形成半导体层的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成多个纳米柱；在所述衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的所述纳米柱；去除所述纳米柱，以在所述下部半导体层中形成空隙；以及在所述下部半导体层和所述空隙的上部上形成上部半导体层。
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