[发明专利]一种在ITO导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法有效
申请号: | 201310675887.X | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103746027A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 王文君;刘鹏;梅雪松;王恪典;刘斌;赵万芹 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种在ITO导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法,首先在ITO导电薄膜玻璃基底的反面溅射金属铬;将ITO导电薄膜玻璃基底固定在载物台上,有金属铬的一面在激光发射区域一侧,保持ITO导电薄膜一侧需要刻槽的区域不接触载物台;最后,利用皮秒激光进行后向刻蚀ITO导电薄膜,皮秒激光光束中心线必须与ITO导电薄膜表面保持垂直,而且皮秒激光的焦点位置在整个加工过程中须保持在ITO导电薄膜层上,本发明有效缩小薄膜太阳能电池中ITO薄膜表面槽宽,又保证皮秒激光加工的效率,提升薄膜太阳能电池制造的整体水平。 | ||
搜索关键词: | 一种 ito 导电 薄膜 表面 刻蚀 极细电 隔离 方法 | ||
【主权项】:
一种在ITO导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)首先,在ITO导电薄膜玻璃基底的反面溅射40‑50nm厚的金属铬;2)其次,将ITO导电薄膜玻璃基底固定在载物台上,有金属铬的一面在激光发射区域一侧,保持ITO导电薄膜一侧需要刻槽的区域不接触载物台;3)最后,利用波长为532nm,重频1KHz,脉宽10ps,功率为10‐12mw的皮秒激光,以0.3‑0.4mm/s的速度进行后向刻蚀ITO导电薄膜,皮秒激光光束中心线必须与ITO导电薄膜表面保持垂直,而且皮秒激光的焦点位置在整个加工过程中须保持在ITO导电薄膜层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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