[发明专利]半导体设置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310674438.3 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716171B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;赵治国;张永奎;马小龙;许淼;殷华湘;杨红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例半导体设置可以包括：衬底；以及在衬底上形成的第一单元半导体器件和第二单元半导体器件。第一单元半导体器件可以包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件可以包括第二栅堆叠。第一栅堆叠可以包括第一功函数调节层，第二栅堆叠可以包括第二功函数调节层。第一栅堆叠的栅长可以小于第二栅堆叠的栅长，且第一功函数调节层的厚度可以小于第二功函数调节层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅堆叠 功函数调节层 半导体器件 半导体 衬底 栅长 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设置，包括：衬底；以及在衬底上形成的第一单元半导体器件和第二单元半导体器件，其中，第一单元半导体器件包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件包括第二栅堆叠，第一栅堆叠包括第一功函数调节层，第二栅堆叠包括第二功函数调节层，以及第一栅堆叠的栅长小于第二栅堆叠的栅长，且第一功函数调节层的厚度小于第二功函数调节层的厚度。
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