[发明专利]一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310673011.1 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103633151A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海洋;王云峰;董彬;石会平 | 申请（专利权）人： | 天津中环半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300385 天津市滨海新区新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 发明涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法。在中高压肖特基二极管芯片结构中，P型扩散区宽度为25~40um；金属场版的宽度为25~35um；外延厚度为16~30um；电阻率为2~5ohm.cm。本发明同时采取对关键工艺进行调整，以达到提高封装后器件性能的目的。方法是：1、通过湿法氧化，在P型区注入前形成厚度为650埃的牺牲氧化硅。2、在P型区域注入杂质数量1X1014。3、通过湿法氧化、推进形成P型区深度为8um。4、在势垒金属蒸发前，采用双氧水对硅片表面颗粒杂质进行清洗。本发明在不提高生产成本的情况下，使芯片的封装良率以及可靠性性能得到明显提高，从而增强了产品的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 肖特基 二极管 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中高压肖特基二极管芯片结构，其特征在于：在所述的中高压肖特基二极管芯片结构中，P型扩散区（104）宽度为25~40um；金属场版（108）的宽度为25~35um；硅衬底（101）上表面具有的外延（102）厚度为16~30um；电阻率为2~5ohm.cm。
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