[发明专利]一种CdTe溅射靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201310670692.6 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104694889B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 储茂友;王星明;白雪;韩沧;张碧田 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人： | 刘徐红 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CdTe溅射靶材的制备方法，属于太阳能电池材料领域。该方法包括如下步骤（1）将真空熔炼制备的CdTe块体，破碎研磨成粉，将得到的CdTe粉末装入模具，进行冷压成型；（2）冷压成型后，放置于热压炉内，进行真空热压烧结；热压温度在500～800℃，压力为20MPa～200MPa，温保压时间30min～120min；（3）真空热压烧结完成后，停炉冷却、脱模取料，进行机械加工。通过本发明方法得到的CdTe溅射靶材的致密度可以达到98%以上，平均晶粒尺寸在45nm以下，靶材结晶度达到80%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdte 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdTe溅射靶材的制备方法，包括如下步骤：(1)将真空熔炼制备的CdTe块体，破碎研磨成粉，将得到的CdTe粉末装入模具，进行冷压成型；(2)冷压成型后，放置于热压炉内，进行真空热压烧结；热压温度的升温过程分为两个阶段：室温到450℃，加热速率为15～25℃·min‑1；450℃到热压温度，加热速率为8～12℃·min‑1；(3)真空热压烧结完成后，停炉冷却、脱模取料，进行机械加工。
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