[发明专利]一种纳米线衬底结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310670650.2 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103633123A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙兵;刘洪刚;赵威;王盛凯;常虎东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/78;H01L21/02;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强，可以有效抑制MOSFET的短沟效应，提高器件电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 衬底 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线衬底结构，其特征在于，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底(1)；形成于单晶衬底(1)上的缓冲层(6)；形成于缓冲层(6)上的牺牲层(2b)；以及形成于牺牲层(2b)上的纳米线结构层(5)。
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