[发明专利]一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法

摘要

一种电容式Si基辐射探测器件及其制备方法，该器件包括Si衬底层，Si衬底层的上方设有埋氧层，埋氧层上从中心向四周依次设有金属填充区、栅介质区、Si薄膜层、欧姆接触注入区和氧化隔离层，欧姆接触注入区的上方设有欧姆接触区，金属填充区的上方设有栅极金属电极。该器件辐射灵敏度高、感生电荷容量高、工作栅电压低、可靠性高。方法为：在基片上生长氧化隔离层；轻重离子掺杂形成欧姆接触注入区；溅射淀积形成欧姆接触区；刻蚀形成凹槽区；原子层淀积工艺形成栅介质区；二次刻蚀形成金属填充凹槽区；采用Cu互联工艺形成金属填充区和栅极金属电极。该方法工艺简单、重复性好、成本低、易于和现有的大规模集成电路的制作工艺整合。

主权项

一种电容式Si基辐射探测器件，其特征在于：包括Si衬底层(1)，Si衬底层(1)的上方设有埋氧层(2)，埋氧层(2)上从中心向四周依次设有金属填充区(8)、栅介质区、Si薄膜层(4)、欧姆接触注入区(5)和氧化隔离层(3)，欧姆接触注入区(5)的上方设有欧姆接触区(9)，金属填充区(8)的上方设有栅极金属电极(10)。