[发明专利]一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法

摘要

本发明公开了一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法，包括：（1）将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统中；（2）通入氨气，对衬底进行氮化反应1～3min；（3）采用氢气作为载气，通入氨气和三甲基镓，生长氮化镓缓冲层；（4）改氮气作为载气，继续通入三甲基镓，同时通入三甲基铟，在缓冲层上外延生长第一层铟镓氮；（5）对刚生长的铟镓氮外延层进行刻蚀，去除表面残余的铟滴和位错坑；（6）用低V/III外延生长第二层铟镓氮。优点：由本发明方法所获得的铟镓氮外延材料表面质量有了明显改善，消除了铟镓氮外延材料的表面铟滴残留，降低了位错坑密度，减小了在铟镓氮外延材料表面制备金属电极的难度，提升了器件的可靠性。

主权项

一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统中，并在高温下加热烘烤3～5min，清洁衬底表面；（2）通入氨气，对衬底进行氮化反应1～3min；（3）采用氢气作为载气，通入氨气和三甲基镓，生长氮化镓缓冲层，厚度为1.5～2μm；（4）改变氮气作为载气，继续通入三甲基镓，同时通入三甲基铟，增大氨气通入量用高V/III在缓冲层上外延生长第一层铟镓氮； （5）在保持氨气通入的情况下，暂时停止通入三甲基镓和三甲基铟，中断铟镓氮层生长，同时通入少量氢气，对刚生长的铟镓氮外延层进行刻蚀，去除表面残余的铟滴和位错坑，刻蚀时间为3～5min；（6）待氢气刻蚀结束后，停止通入氢气，并恢复通入三甲基镓和三甲基铟，减小氨气流量，用低V/III外延生长第二层铟镓氮。