[发明专利]CMOS图像传感器单元混合复位控制电路及实现方法在审
| 申请号： | 201310639424.8 | 申请日： | 2013-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103686003A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张冰;汪西虎;杨力宏;赵光炜;徐晚成 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器单元混合复位控制电路及实现方法，利用控制电路产生对像素单元不同的供电电压，实现对像素单元的混合复位，利用像素单元中源随器栅漏交叠电容在瞬间变化的漏端电压条件下引发的时钟馈通效应，实现对像元内寄生存储节点复位电压的跳变过程，该技术不仅实现对像素单元常规的第二次低噪软复位读出过程，同时寄生存储节点在供电电压跳变时获得的较高复位读出电压值，实现了扩展阱容的设计目的，最终提升了像素单元的本征动态范围输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 单元 混合 复位 控制电路 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器单元混合复位控制电路，其特征在于：包括硬复位启动NMOS管(Mn1)、VDD电平分压NMOS管(Mn2)、硬复位像素供电传输NMOS管(Mn3)以及软复位像素供电传输PMOS管(Mp1)，硬复位启动NMOS管(Mn1)的源端、VDD电平分压NMOS管(Mn2)的栅端、VDD电平分压NMOS管(Mn2)的漏端以及硬复位像素供电传输NMOS管(Mn3)的源端相连；硬复位启动NMOS管(Mn1)的栅端、硬复位像素供电传输NMOS管(Mn3)的栅端以及软复位像素供电传输PMOS管(Mp1)的栅端与使能控制信号端（EN）相连；硬复位启动NMOS管(Mn1)的漏端以及软复位像素供电传输PMOS管(Mp1)的漏端与控制电路电源相连；VDD电平分压NMOS管(Mn2)的源端接地（GND）；软复位像素供电传输PMOS管(Mp1)的源端以及硬复位像素供电传输NMOS管(Mn3)的漏端与像素单元供电端相连。
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