[发明专利]一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法在审
| 申请号： | 201310636987.1 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104681407A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王飞;王吉宁;郝雷;刘晓鹏;蒋利军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法，包括以下步骤：清洗基板，在基板上沉积非晶硅薄膜，然后将其置于快速退火炉中，采用分光谱技术对薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，按短波光照、长波光照的顺序对非晶硅薄膜进行退火，利用短波段光谱的量子效应控制硅薄膜晶化过程的成核密度，利用长波段光谱的热效应使晶粒长大，最终生成具有一定晶粒尺寸的多晶硅薄膜。与传统快速光热退火相比，本发明利用分光谱法联合快速光热退火工艺，对非晶硅薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，不仅可以使非晶硅发生晶化，生成多晶硅薄膜，并且可以对其成核密度和晶粒尺寸进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 薄膜 控制 晶粒 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：清洗基板，在基板上沉积非晶硅薄膜，然后将其置于快速退火炉中，采用分光谱技术对薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，按短波光照、长波光照的顺序对非晶硅薄膜进行退火，利用短波段光谱的量子效应控制硅薄膜晶化过程的成核密度，利用长波段光谱的热效应使晶粒长大，最终生成具有一定晶粒尺寸的多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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