[发明专利]一种肖特基二极管及其测试方法在审
| 申请号： | 201310636409.8 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681636A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;张敏;田飞飞;郑树楠;张志强;王海;周桃飞;弓晓晶;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管，包括：GaN层；位于GaN层上的绝缘层，绝缘层具有一开口部，形成肖特基接触区域；第一电极，形成于肖特基接触区域内，与GaN层接触，并且，第一电极至少部分覆盖于所述绝缘层的上部；第二电极，与第一电极连接，位于第一电极覆盖绝缘层的部分之上；其中，第一电极的厚度小于所述第二电极的厚度。本发明还提供了如上所述的肖特基二极管的测试方法，在第一电极位于肖特基接触区域的部分采用阴极荧光谱来观测肖特基二极管内部的位错数目及分布。本发明提供的肖特基二极管，既可以进行常规的电流电压特性曲线测试，又能够利用阴极荧光谱确定器件内部的位错数目及分布位置，方便深入研究位错对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：GaN层；位于GaN层上的绝缘层，所述绝缘层具有一开口部，形成肖特基接触区域；第一电极，形成于所述肖特基接触区域内，与所述GaN层接触，并且，所述第一电极至少部分覆盖于所述绝缘层的上部；第二电极，与所述第一电极连接，位于所述第一电极覆盖所述绝缘层的部分之上；其中，所述第一电极的厚度小于所述第二电极的厚度。
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