[发明专利]基于多巴胺改性的3C-SiC纳米晶杂化薄膜的制备

摘要

发明属于半导体材料技术领域，涉及一种基于多巴胺改性的3C-SiC纳米晶杂化薄膜的制备方法，包括：清洗导电玻璃；导电玻璃的改性：将适量多巴胺溶解于溶入弱碱性的醋酸-醋酸钠缓冲溶液中，将清洗后的导电玻璃浸泡于上述溶液中，室温下静置24h以上；3C-SiC纳米晶表面的改性：将适量平均粒径为3nm的3C-SiC纳米晶均匀分散于浓度为0.3-0.5mg/mL的多巴胺水溶液中制成悬浮液；3C-SiC纳米晶薄膜的制备：将2）中改性后的导电玻璃置于4）中悬浮液中，真空干燥，得到厚度为4-6μm的3C-SiC纳米晶薄膜。本发明过程简单，且制备的薄膜结构稳定，并具有较窄的带隙。

主权项

一种基于多巴胺改性的3C‑SiC纳米晶杂化薄膜的制备方法，包括下列步骤：1）清洗导电玻璃；2）配制pH=8‑10的醋酸‑醋酸钠缓冲溶液；3）导电玻璃的改性：按照0.5‑1.5mg：1mL的固液质量体积比，将多巴胺溶解于溶入醋酸‑醋酸钠缓冲溶液中，将清洗后的导电玻璃浸泡于上述溶液中，室温下静置24h以上。4）3C‑SiC纳米晶表面的改性：将适量平均粒径为3nm的3C‑SiC纳米晶均匀分散于浓度为0.3‑0.5mg/mL的多巴胺水溶液中制成悬浮液；5）3C‑SiC纳米晶薄膜的制备：将2）中改性后的导电玻璃置于4）中悬浮液中，在60‑80℃的温度下真空干燥，将溶剂蒸发，最后得到厚度为4‑6μm的3C‑SiC纳米晶薄膜。