[发明专利]封装结构及其形成方法

摘要

种封装结构及其形成方法，其中，封装结构的形成方法包括：芯片层的第一表面具有保护层和焊垫层，芯片层的第二表面具有若干暴露出保护层的沟槽；在芯片层的第二表面、以及沟槽的侧壁和底部表面形成第一绝缘层，位于沟槽底部的第一绝缘层的厚度、比位于芯片层的第二表面的第一绝缘层的厚度薄；在沟槽底部形成贯穿第一绝缘层、保护层和焊垫层的通孔；去除通孔周围的部分第一绝缘层，并暴露出沟槽底部；之后，在第一绝缘层表面、沟槽的底部表面以及通孔的侧壁和底部表面形成导电层。所形成的封装结构电性能和稳定性提高。

主权项

一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供芯片层，所述芯片层的第一表面具有保护层，所述保护层表面具有焊垫层，所述保护层和焊垫层表面具有基底，所述芯片层的第二表面具有若干暴露出保护层的沟槽，所述芯片层的第二表面与第一表面相对，所述沟槽的位置与焊垫层相对应；在所述芯片层的第二表面、以及沟槽的侧壁和底部表面形成第一绝缘层，位于所述沟槽底部的部分第一绝缘层的厚度、比位于芯片层第二表面的部分第一绝缘层的厚度薄；在所述沟槽底部形成贯穿所述第一绝缘层、保护层和焊垫层的通孔，所述通孔的侧壁相对于焊垫层表面垂直；去除所述通孔周围的部分第一绝缘层，并暴露出部分沟槽底部；在去除所述通孔周围的部分第一绝缘层之后，在所述第一绝缘层表面、沟槽的底部表面以及通孔的侧壁和底部表面形成导电层。