[发明专利]一种基于碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310626193.7 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103681895A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 王胜;刘旸;赵青靓;魏楠;张德辉;彭练矛 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/102;B82Y15/00
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 邵可声
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种基于碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法。该红外成像探测器包括:衬底;若干一维半导体碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带,位于所述衬底上;非对称接触电极,包含呈相间排布的叉指状电极结构的若干第一电极和若干第二电极。该方法首先采用蒸发驱动自组装的方法在衬底上排列若干一维半导体碳纳米管或者若干半导体性碳纳米管薄膜条带;然后在其上形成第一电极和第二电极及其金属连接线的图案形状,并蒸镀电极的金属层。本发明通过并联方式提高红外探测器的输出光电流,减小器件电阻,器件的制备工艺简单,无需掺杂即可实现红外探测,使得输出的光电流倍增,信噪比提高。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 红外 成像 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于碳纳米管的红外成像探测器,其特征在于,包括:衬底;若干平行或近似平行排列的一维半导体碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带,位于所述衬底上;非对称接触电极,位于所述一维半导体碳纳米管或者所述半导体性碳纳米管薄膜条带上,包含若干第一电极和若干第二电极,所述若干第一电极和所述若干第二电极呈相间排布的叉指状电极结构。
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