[发明专利]一种基于碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法无效
申请号: | 201310626193.7 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103681895A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 王胜;刘旸;赵青靓;魏楠;张德辉;彭练矛 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/102;B82Y15/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 邵可声 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种基于碳纳米管的红外成像探测器及其制备方法。该红外成像探测器包括:衬底;若干一维半导体碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带,位于所述衬底上;非对称接触电极,包含呈相间排布的叉指状电极结构的若干第一电极和若干第二电极。该方法首先采用蒸发驱动自组装的方法在衬底上排列若干一维半导体碳纳米管或者若干半导体性碳纳米管薄膜条带;然后在其上形成第一电极和第二电极及其金属连接线的图案形状,并蒸镀电极的金属层。本发明通过并联方式提高红外探测器的输出光电流,减小器件电阻,器件的制备工艺简单,无需掺杂即可实现红外探测,使得输出的光电流倍增,信噪比提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 红外 成像 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于碳纳米管的红外成像探测器,其特征在于,包括:衬底;若干平行或近似平行排列的一维半导体碳纳米管或者半导体性碳纳米管薄膜条带,位于所述衬底上;非对称接触电极,位于所述一维半导体碳纳米管或者所述半导体性碳纳米管薄膜条带上,包含若干第一电极和若干第二电极,所述若干第一电极和所述若干第二电极呈相间排布的叉指状电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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