[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310625016.7 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103855128B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 金载敏;朴明根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括半导体芯片，在其一个表面上形成有断开熔丝；以及防迁移模块，防止发生其中熔丝的金属离子迁移到熔丝的断开区域的现象；每个防迁移模块包括接地电极，形成在半导体芯片中以面对熔丝，接地电极和熔丝之间插设有第一绝缘构件；浮置电极，形成在熔丝之上，以面对接地电极，浮置电极和熔丝之间插设有第二绝缘构件，浮置电极和接地电极之间插设有熔丝；以及电源电极，形成在浮置电极之上，电源电极和浮置电极之间插设有第三绝缘构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体芯片，形成有断开熔丝；以及防迁移模块，分别形成为实质上面对该断开熔丝；其中，每个防迁移模块包括：接地电极，形成在该半导体芯片中以实质上面对该熔丝，该接地电极和该熔丝之间插设有第一绝缘构件；浮置电极，形成在该熔丝之上以实质上面对该接地电极，该浮置电极和该熔丝之间插设有第二绝缘构件，该浮置电极和该接地电极之间插设有该熔丝；以及电源电极，形成在该浮置电极之上，该电源电极和该浮置电极之间插设有第三绝缘构件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310625016.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环境友好型噻虫嗪水剂及其制备方法
- 下一篇：用于滑顶系统的挡风装置
