[发明专利]一种促进植物生长用近紫外发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310624244.2 | 申请日： | 2013-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103606619A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赵文强;闭伟焕;李绍荣;于军胜 | 申请（专利权）人： | 中山达华智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528415 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种促进植物生长用近紫外发光二极管，包括底座、近紫外发光二极管芯片、内封装层和外封装层，所述近紫外发光二极管芯片的底部安装在底座上，所述近紫外发光二极管芯片上覆盖有内封装层，所述内封装层上覆盖有外封装层。此外，本发明还提供一种促进植物生长用近紫外发光二极管的制备方法，包括以下步骤：选取能够有效激发荧光粉的近紫外发光二极管芯片。本发明的一种促进植物生长用近紫外发光二极管最终使二极管的发光均匀柔和，提高了植物的生长效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 植物 生长 紫外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种促进植物生长用近紫外发光二极管，其特征在于包括底座、近紫外发光二极管芯片、内封装层和外封装层，所述近紫外发光二极管芯片的底部安装在底座上，所述近紫外发光二极管芯片上覆盖有内封装层，所述内封装层上覆盖有外封装层；所述内封装层内掺有稀土蓝色荧光粉，所述外封装层内掺有稀土红色荧光粉。
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