[发明专利]异质结双极晶体管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310618785.4 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103855196A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | R.A.卡米洛-卡斯蒂洛;J.B.约翰逊 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种异质结双极晶体管（HBT）装置及其制造方法。异质结双极晶体管（HBT）装置包括：设置在结晶硅层中的n型集电极区域；包括硼掺杂的硅锗晶体的p型本征基极，硼掺杂的硅锗晶体设置在由浅沟槽隔离体（STI）划界的下层结晶Si层的顶表面上，并在下层结晶Si层与浅沟槽隔离体（STI）的界面上形成有角度的小面；富Ge的结晶硅锗层，其设置在p型本征基极的有角度的小面上，而不设置在p型本征基极的顶表面上；以及n型结晶发射极，其设置在p型本征基极的顶表面上，而不在p型本征基极的有角度的小面上。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管装置，包括：n型集电极区域，设置在由浅沟槽隔离体划界的结晶基板层中；p型本征基极，包括硅锗（SiGe）晶体，该硅锗晶体设置在所述结晶基板层的顶表面上并在所述结晶基板层与所述浅沟槽隔离体的界面上形成有角度的小面；富Ge的SiGe结晶层，设置在所述SiGe晶体的所述有角度的小面上，而不设置在所述SiGe晶体的顶表面上；以及n型扩散掺杂的结晶发射极，设置在所述SiGe晶体的所述顶表面上，而不设置在所述SiGe晶体的所述有角度的小面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310618785.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
