[发明专利]高一致性低功耗阻变存储器及制备方法有效
| 申请号： | 201310618361.8 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103606625A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄如;余牧溪;蔡一茂;张镇星;李强;黎明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 朱红涛 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阻变存储器，其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极，其特征是，所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构；所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上；所述四层结构自下而上氧浓度依次提高，厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构，可实现氧空位通道在各层中的完全通断，从而精确控制阻值，实现高一致性的2-bit存储。另外，通过合理调控4层结构中每层的阻值，即可进行低电流操作，进而实现低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一致性 功耗 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极，其特征是，所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成的四层结构；所述的四层结构自下而上阻值依次提高至少10倍；所述四层结构自下而上氧浓度依次提高，厚度依次减小。
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