[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法。其中，半导体器件形成方法中，刻蚀覆盖基片的第二表面，形成用于容纳凸起于半导体衬底第一表面的元器件的空腔，以及用于形成金属插塞的开口，之后在所述开口内填充板金属材料，形成金属插塞后，将所述覆盖基片覆盖在半导体衬底第一表面，使得半导体衬底上的元器件位于所述空腔内，而所述覆盖基片内的金属插塞与半导体衬底上的测试垫固定连接。之后研磨覆盖基片的第一表面露出所述金属插塞。在形成的半导体器件的电性能测试工序中，直接通过所述金属插塞连接元器件以及外部的测试仪器，完成对元器件的电性能测试工序，从而简化半导体器件的电性能测试工序，并提高半导体器件的电性能测试工序进行的成功率。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面具有元器件，所述半导体衬底内具有表面暴露于半导体衬底第一表面的测试垫，所述元器件与测试垫之间非接触，且通过所述半导体衬底内的互连线将所述元器件和测试垫电连接；提供覆盖基片，刻蚀所述覆盖基片的第二表面，在所述覆盖基片内形成开口；向所述开口内填充满金属材料，形成金属插塞；刻蚀所述覆盖基片的第二表面，在所述覆盖基片内形成空腔，；将所述半导体衬底的第一表面与所述覆盖基片的第二表面贴合，使所述半导体衬底上的元器件位于所述空腔内，且使所述半导体衬底内的测试垫与所述金属插塞固定连接；研磨所述覆盖基片的第一表面，直至露出所述金属插塞，所述覆盖基片的第一表面与覆盖基片的第二表面位置相对。