[发明专利]一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法

摘要

本发明公布了一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法,包括压料、装料、提纯等步骤，装料中使用增加石英上沿套的坩埚进行装料，提纯步骤中在加热阶段的温度可达到1500℃。本发明在普通的坩埚上增加了石英上沿套，增加了坩埚的高度，提高坩埚有效的装料空间，在相同配料方案下，上沿套使用前后对比单炉次产能从360-380kg增加至410-430kg，有效的提高了铸锭产能，降低了生产成本；本发明中使用的石英上沿套成本非常低廉，操作简单；本发明提高了加热阶段的温度，从常规的1175℃提高至1500℃，有效的缩短坩埚加热升温时间。

主权项

一种利用铸锭炉提纯多晶硅粉的工艺方法，其特征在于：将硅粉放入铸锭炉中，利用铸锭炉进行提纯，提纯工艺包括以下步骤：加热：在真空度为1.0‑1.5 mbar条件下，进行加热升温，当加热温度升至1200‑1300℃时，开始充入惰性保护气体，真空度为100‑200 mbar，继续加热升温，当温度升至1470‑1500℃时，铸锭炉由功率控制模式转温度控制模式，加热时间4‑6h;熔化：在真空度为100‑200 mbar条件下，继续加热升温使坩埚中的硅料完全熔化，熔化温度为1500 ‑1560℃，熔化时间为8‑12h, 此阶段连续充入惰性保护气体；长晶：在真空度为100‑200 mbar条件下，打开铸锭炉的隔热层，降低温度进入长晶阶段，长晶温度为1440‑1400℃，长晶时间为24‑27 h，此阶段连续充入惰性保护气体；冷却: 在真空度为200‑850mbar条件下，降低温度，进入冷却阶段，冷却温度为1000‑400℃，冷却时间为6‑8h, 此阶段连续充入惰性保护气体。