[发明专利]接触孔及其形成方法在审
| 申请号： | 201310612577.3 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681538A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接触孔及其形成方法，所述接触孔的形成方法，包括：提供衬底；形成栅极、源区以及漏区；形成层间介质层；在层间介质层中形成接触孔；在接触孔内形成介质材料层以及掩模层；去除位于接触孔侧壁上部的介质材料层；去除所述掩模层；去除介质材料层，使剩余的介质材料层均位于所述接触孔侧壁的下部；在接触孔中形成导电插塞。本发明还提供一种接触孔，包括衬底、栅极、源区和漏区；层间介质层以及接触孔；设于所述接触孔侧壁下部的介质材料层，以及设于所述接触孔中的导电插塞。本发明的有益效果在于：增大了栅极与导电插塞的距离，在形成导电插塞后，减小了栅极与导电插塞之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极；在栅极之间的衬底中形成源区以及漏区；在所述衬底以及栅极上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成位于所述栅极之间的接触孔，以暴露出所述源区或者漏区；在所述接触孔的内壁以及底面形成介质材料层；在形成有所述介质材料层的接触孔中填充掩模层；以所述掩模层为掩模，去除位于接触孔侧壁上部的介质材料层；去除所述掩模层；去除位于所述接触孔底面的介质材料层，使剩余的介质材料层均位于所述接触孔侧壁的下部，且所述剩余的介质材料层沿接触孔侧壁的方向覆盖所述栅极；在所述接触孔中形成导电插塞。
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