[发明专利]低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及光电材料技术。本发明解决了现有低温下沉积的柔性ITO薄膜多处于非晶态的问题，提供了一种低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，其技术方案可概括为：采用低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法进行制备，得到一种ITO薄膜，该ITO薄膜下方为衬底，衬底上方为中间薄膜层，中间薄膜层的上方为ITO薄膜层。本发明的有益效果是，生成的ITO薄膜具有低温沉积、导电性好、可见光透过率高及附着力强，适用于ITO薄膜。

主权项

低温沉积柔性晶态氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对衬底进行清洁，放入磁控溅射反应室基底；步骤2、将中间薄膜靶材放入磁控溅射反应室靶位，靶位与基底相对应并具有一定垂直距离；步骤3、利用高真空多功能射频溅射镀膜设备，对磁控溅射反应室进行抽真空；步骤4、抽真空完毕后选择第一氧氩比通入高纯度氩气和氧气，保持第一工作气压；步骤5、射频磁控溅射在衬底上沉积中间薄膜层；步骤6、将中间薄膜靶材更换为ITO靶材，对磁控溅射反应室进行抽真空；步骤7、抽真空完毕后选择第二氧氩比通入高纯度氩气和氧气，保持第二工作气压；步骤8、射频磁控溅射在中间薄膜层上沉积ITO薄膜层。