[发明专利]一种含Ni的纳米薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310610485.1 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103647024A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杨卫国 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;C23C26/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李晓静 |
| 地址： | 212003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种含Ni的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式NixCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ni 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含Ni的纳米薄膜材料，其特征在于：包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式由 NixCry(BizSb1‑z)2‑x‑ySe3表示，其中0
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