[发明专利]硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计及制备方法有效
| 申请号： | 201310609962.2 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103673864A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 雷双瑛;李峄;陈洁;于虹;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计，该应变计包括绝缘体上硅圆片，以及覆盖在绝缘体上硅圆片上的氧化层，绝缘体上硅圆片上开有深槽，且深槽的侧壁和底面均设有氧化层，在深槽相对的两个侧壁上分别设有一个生长纳米线的窗口，该窗口上设有锡纳米颗粒催化剂层，锡纳米颗粒催化剂层上生长硅锗异质结纳米线阵列，两个生长纳米线且相对的窗口通过该硅锗异质结纳米线阵列相连接。该应变计采用硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件，提高敏感源灵敏度，同时，还公开该应变计的制备方法，该制备方法简单，且与现有的集成电路工艺具有兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗异质结 纳米 阵列 作为 敏感 元件 应变 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计，其特征在于，该应变计包括绝缘体上硅圆片（1），以及覆盖在绝缘体上硅圆片（1）上的氧化层（9），绝缘体上硅圆片（1）上开有深槽，且深槽的侧壁和底面均设有氧化层，在深槽相对的两个侧壁上分别设有一个生长纳米线的窗口（2），该窗口（2）上设有锡纳米颗粒催化剂层（6），锡纳米颗粒催化剂层（6）上生长硅锗异质结纳米线阵列（5），两个生长纳米线且相对的窗口（2）通过该硅锗异质结纳米线阵列（5）相连接。
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