[发明专利]高温压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310602910.2 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103645000A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;马清杰 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS制造领域，尤其涉及一种高温压力传感器及其制备方法，基于绝缘体上硅衬底，在其正面形成惠斯特电桥结构，而在其背面则形成压力敏感膜，并利用正硅-玻璃的阳极键合形成真空腔体，背面再采用硅-玻璃键合达到应力平衡，或采用单芯片阳极键合工艺，最终利用单芯片封装方式制备具有高可靠性的压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高温压力传感器，其特征在于，所述高温压力传感器包括：一设置有质量块和承压膜的体硅层，且该体硅层的正面表面上覆盖有一绝缘层，且所述绝缘层暴露的表面上设置压阻；一设置有通孔的背面玻璃，所述背面玻璃键合于所述体硅层的背面上，且所述质量块和所述承压膜均暴露于所述通孔中；一正面玻璃，所述正面玻璃通过一电阻层键合于所述绝缘层的表面上，形成有一密封的腔体，且所述压阻位于所述腔体中；其中，所述正面玻璃中还设置有若干贯穿其上下表面的导体层，每个所述导体层与所述电阻层表面接触的端部中还嵌入设置有金属电极，且该金属电极暴露的表面与所述绝缘层的表面接触。
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