[发明专利]基于硅上液晶的短波长红外成像器件

摘要

本发明公开了一种基于硅上液晶的短波长红外成像器件，从下至上依次包括：单晶硅片，短波长红外探测器阵列、硅上液晶，所述单晶硅片兼做短波长红外探测器阵列和硅上液晶两者的衬底。本发明的短波长红外成像器件利用LCoS原理，将光电探测器和显示器集成于同一硅片上，有利于短波长红外成像器的小型化、且与现有短波长红外成像器比较，采用液晶显示，功耗低，分辨率高；可充分利用发展已很成熟的硅集成工艺，制备工艺简单、进一步降低制作成本低。

主权项

一种基于硅上液晶的短波长红外成像器件，其特征在于，从下至上依次包括：单晶硅片，短波长红外探测器阵列、硅上液晶，所述单晶硅片兼做短波长红外探测器阵列和硅上液晶两者的衬底。