[发明专利]一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法有效
| 申请号: | 201310587702.X | 申请日: | 2013-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN103588208A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 蒋宁雄;盛之林;梁庆;侯宝锋;蒋学萍;杨永浩;吴佳楠 | 申请(专利权)人: | 宁夏宁电光伏材料有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人: | 古玲玉 |
| 地址: | 750021 宁夏回*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种提纯多晶硅去除硼和金属杂质的方法,尤其是涉及一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法,其特征在于:该方法为首先对硅块原料进行酸洗、水洗,然后在高温电阻炉内进行高温增氧预处理,将处理后的硅料装入三枪电子束炉内进行熔炼,熔炼结束,待硅锭降温至室温,取出硅锭,去掉表皮和底端层,用硬质合金锤轻敲掉铸锭上端芯部金属杂质富集的疏松层,即得太阳能级多晶硅;本发明方法独特、不仅能够除磷和钙、钠等金属,除硼和铁、铜等金属杂质效果也很明显,除杂效率高,产量大,经济效果显著。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 电子束 熔炼 多晶 金属 杂质 方法 | ||
【主权项】:
一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法,其特征在于:该方法为首先对硅块原料进行酸洗、水洗,然后在高温电阻炉内进行高温增氧预处理,将处理后的硅料装入三枪电子束炉内进行熔炼,熔炼结束,待硅锭降温至室温,取出硅锭,去掉表皮和底端层,用硬质合金锤轻敲掉铸锭上端芯部金属杂质富集的疏松层,即得太阳能级多晶硅。
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