[发明专利]一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法有效

专利信息
申请号: 201310587702.X 申请日: 2013-11-20
公开(公告)号: CN103588208A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 蒋宁雄;盛之林;梁庆;侯宝锋;蒋学萍;杨永浩;吴佳楠 申请(专利权)人: 宁夏宁电光伏材料有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 宁夏专利服务中心 64100 代理人: 古玲玉
地址: 750021 宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明涉及一种提纯多晶硅去除硼和金属杂质的方法,尤其是涉及一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法,其特征在于:该方法为首先对硅块原料进行酸洗、水洗,然后在高温电阻炉内进行高温增氧预处理,将处理后的硅料装入三枪电子束炉内进行熔炼,熔炼结束,待硅锭降温至室温,取出硅锭,去掉表皮和底端层,用硬质合金锤轻敲掉铸锭上端芯部金属杂质富集的疏松层,即得太阳能级多晶硅;本发明方法独特、不仅能够除磷和钙、钠等金属,除硼和铁、铜等金属杂质效果也很明显,除杂效率高,产量大,经济效果显著。
搜索关键词: 一种 电子束 熔炼 多晶 金属 杂质 方法
【主权项】:
 一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法,其特征在于:该方法为首先对硅块原料进行酸洗、水洗,然后在高温电阻炉内进行高温增氧预处理,将处理后的硅料装入三枪电子束炉内进行熔炼,熔炼结束,待硅锭降温至室温,取出硅锭,去掉表皮和底端层,用硬质合金锤轻敲掉铸锭上端芯部金属杂质富集的疏松层,即得太阳能级多晶硅。
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