[发明专利]一种Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法、及其应用有效
| 申请号： | 201310587104.2 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103578938A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 常永勤;邵长景 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;G01N27/414;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法，以及此种材料的应用，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明的制备方法是，将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD（化学气相沉积）沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。所述材料的组织结构是尺寸为40~100nm纳米针和200~500nm纳米棒的混合网状结构。本发明能够实现Sn掺杂ZnO纳米薄膜的可控生长；能够实现室温下对丙酮、酒精等气体的检测，也就是说采用该方法可以制备出室温气敏性元器件，能够实现室温条件下气敏元件的选择性：对酒精比丙酮气敏性好。提供的制备方法生长温度低，设备简单，成本低，没有环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sn 掺杂 zno 半导体材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种Sn掺杂ZnO半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法是，将Sn粉与Zn粉混合在氧气与氩气的气氛中加热以CVD（化学气相沉积）沉积到器件表面形成Sn掺杂ZnO半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310587104.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种遥控迷你气垫救生船
- 下一篇：新型Spar浮式海上风电平台
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
