[发明专利]通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件有效
| 申请号： | 201310586650.4 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104347684B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;许慈轩;陈思莹;徐伟诚;曾晓晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 通过器件隔离结构隔离的半导体开关器件。本发明提供了一种器件，包括：在半导体衬底上方形成的栅极结构，栅极结构具有延伸件；器件隔离结构形成在半导体衬底中并且与栅极结构邻近，其中，延伸件位于部分器件隔离结构上方；以及位于栅极结构的两侧上的源极/漏极区，源极/漏极区形成在器件隔离结构中的间隙中并且被栅极结构的延伸件部分包围绕。本发明还提供了一种形成晶体管器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 器件隔离结构 栅极结构 延伸件 半导体开关器件 源极/漏极区 衬底 半导体 隔离 晶体管器件 分包 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅极结构，形成在半导体衬底上方，所述栅极结构具有延伸件，其中，所述栅极结构和所述延伸件形成I形；器件隔离结构，形成在所述半导体衬底中并且与所述栅极结构邻近，所述延伸件位于所述器件隔离结构的一部分的上方；以及源极/漏极区，位于所述栅极结构的两侧，所述源极/漏极区形成在所述器件隔离结构的间隙中并且被所述栅极结构的所述延伸件部分地围绕，其中，所述延伸件包括：附加延伸件，所述附加延伸件向内延伸以围绕更多的所述源极/漏极区，使得除一间隔之外，所述源极/漏极区被完全围绕；进一步，所述延伸件的厚度能够防止流过所述源极/漏极区的电流流入位于所述延伸件远离所述源极/漏极区的相对侧上的光敏器件。
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