[发明专利]电熔丝结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201310582628.2 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104659013A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电熔丝结构及半导体器件，所述电熔丝结构包括：衬底；位于所述衬底上的电熔丝，所述电熔丝包括：熔丝；分别位于所述熔丝两端、并与所述熔丝连接的阳极和阴极；位于所述衬底上、与所述电熔丝之间被介质层电隔离的加热结构，所述加热结构用于将产生的热量传递至所述电熔丝。解决了现有电熔丝熔断电流较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种电熔丝结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的电熔丝，所述电熔丝包括：熔丝；分别位于所述熔丝两端、并与所述熔丝连接的阳极和阴极；位于所述衬底上、与所述电熔丝之间被介质层电隔离的加热结构，所述加热结构用于将产生的热量传递至所述电熔丝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310582628.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示背板及其制作方法、显示装置
- 下一篇：经模制半导体封装
