[发明专利]通孔的形成方法在审
| 申请号： | 201310582619.3 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104658962A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 倪梁;汪新学;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通孔的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面形成有刻蚀停止层；在所述衬底的第二表面上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有开口；沿所述开口、采用第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底至第一深度形成第一通孔；沿所述第一通孔、采用第二刻蚀工艺刻蚀所述衬底至刻蚀停止层，所述第一通孔的底部距离刻蚀停止层不超过10μm。采用本发明的方法，可以形成具有高深宽比的通孔，并有效避免在通孔形成过程中产生钻蚀（notching），进而提高器件的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面形成有刻蚀停止层；在所述衬底的第二表面上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有开口；沿所述开口、采用第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底至第一深度形成第一通孔，所述第一通孔的底部距离刻蚀停止层不超过10μm；以及沿所述第一通孔、采用第二刻蚀工艺刻蚀所述衬底至刻蚀停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
