[发明专利]一种制备晶体硅太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201310578433.0 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103603053A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄海冰;王丽春;王建波;吕俊;赵建华;王艾华 | 申请（专利权）人： | 中电电气（南京）光伏有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/18 | 分类号： | C30B31/18;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211100 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备晶体硅太阳能电池的方法，1）先实施P型掺杂即硼掺杂：采用离子注入在硅片的某个表面或某些区域实施硼掺杂；2）对硼掺杂进行高温退火，进行掺杂再分布并在降温过程中进行N型掺杂，经过一次退火工艺实现P型和N型的优化掺杂分布：硼掺杂后硅片放置到高温扩散炉中退火，以200-800℃之间的某个温度进炉，首先利用升温阶段和在950-1100℃之间的某个温度值的恒温退火进行硼掺杂的再分布，气氛是氮气；然后降温到900-800℃之间的某个温度值的时候进行N型掺杂即磷掺杂，利用本方法只需要通过一次高温热处理就能形成高质量的P型和N型的掺杂结，同时减少的高温热处理次数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶体 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制备晶体硅太阳能电池的方法，同时形成N型和P型掺杂结，其特征是步骤如下：1）先实施P型掺杂即硼掺杂：采用离子注入在硅片的某个表面或某些区域实施硼掺杂、采用CVD、PVD或ALD在硅片的某一个表面预沉积含硼的氧化硅；或采用丝网印刷含硼的氧化硅的浆料；2）对硼掺杂进行高温退火，进行掺杂再分布并在降温过程中进行N型掺杂，经过一次退火工艺实现P型和N型的优化掺杂分布：硼掺杂后硅片放置到高温扩散炉中退火，以200‑800℃之间的某个温度进炉，首先利用升温阶段和在950‑1100℃之间的某个温度值的恒温退火进行硼掺杂的再分布，气氛是氮气；然后降温到900‑800℃之间的某个温度值的时候进行N型掺杂即磷掺杂，磷掺杂时开始通入POCl3和氧气，进行磷硅玻璃的预沉积，随后再开始进行磷掺杂的再分布：保持在温度860±30℃，时间10－60分钟，至此完成N型掺杂的实现。
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