[发明专利]一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法，步骤1）离子注入掺杂；2）离子注入掺杂后，将硅片放置到快速热退火炉管中后，将硅片的温度从600-700℃以较快的升温速度迅速升至950-1150℃之间的某个温度点，同时在惰性气体气氛下进行快速退火，在此过程中来完成离子注入损失层的修复；3）在1000-1150℃温度、氮气气氛下继续进行高温退火，时间10-100秒钟左右，继续完成离子注入损失层的修复，同时也进行掺杂的激活和再分布；4）在1000-1150℃温度氧化、氧气气氛下或者掺氯氧化继续进行高温在线氧化退火。同时提出快速热氧化退火设备系统。

主权项

制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法，其特征是利用离子注入结合快速热氧化制备PN结，步骤如下，1）离子注入掺杂；2）离子注入掺杂后，将硅片放置到快速热退火炉管中后，将硅片的温度从600‑700℃以较快的升温速度迅速升至950‑1150℃之间的某个温度，尤其是1100±50℃，升温速率是1‑5℃/秒，同时在惰性气体气氛下进行快速退火，在这个过程中主要完成离子注入损失层的修复；3）在1000‑1150℃温度、氮气气氛下继续进行高温退火，时间10‑100秒钟左右，继续完成离子注入损失层的修复，同时也进行掺杂的激活和再分布；4）在1000‑1150℃温度氧化、氧气气氛下或者掺氯氧化继续进行高温在线氧化退火，时间是30‑60秒，在此过程中在硅片的表面获得一层2‑30nm厚度的致密的氧化硅。