[发明专利]一种深硅通孔刻蚀装置及其刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310573371.4 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103745945B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 黄秋平;许颂临;严利均;辛朝焕 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种深硅通孔刻蚀装置，所述刻蚀装置包括一个反应腔，所述反应腔连接到反应气体供应装置，所述反应气体供应装置供应的反应气体通过反应腔上的一个排气口排出，所述排气口上还包括一个排气阀门，一个控制装置控制所述深硅通孔刻蚀装置在多个刻蚀周期之间循环，每个刻蚀周期包括至少一个刻蚀步骤和一个沉积步骤，所述控制装置同时控制所述排气阀门的开度以控制反应腔内的气压，其特征在于所述多个刻蚀周期中排气阀门的开度随刻蚀深度的增加而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深硅通孔 刻蚀 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种深硅通孔刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：一个反应腔，所述反应腔连接到反应气体供应装置，所述反应气体供应装置供应的反应气体通过反应腔上的一个排气口排出，所述排气口上还包括一个排气阀门，一个基片安装台，待处理基片放置在基片安装台上，一个控制装置控制所述深硅通孔刻蚀装置在多个刻蚀周期之间循环，每个刻蚀周期中向下刻蚀所述基片以增加通孔的深度，每个刻蚀周期包括至少一个刻蚀步骤和一个沉积步骤，多个刻蚀周期构成一个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段内具有稳定的阀门开度，多个刻蚀阶段完成对深硅通孔的刻蚀，所述控制装置同时控制所述排气阀门的开度以控制反应腔内的气压，其特征在于，所述多个刻蚀阶段中排气阀门的开度随基片上通孔的深度的增加而增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310573371.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：封装结构
- 下一篇：扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
