[发明专利]一种太阳电池片清洗回收处理工艺无效
申请号: | 201310572107.9 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN103779441A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 赵宁;安彩霞;连照勋;刘萍;王天喜 | 申请(专利权)人: | 河南科技学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B08B3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 453003 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳电池片清洗回收处理工艺,属于化工技术领域。具体步骤包括:(1)将太阳能电池片分类后插入电池片承载盒;(2)放入硫酸中出除去铝背场;(3)放入王水中浸泡除去硅片上面银电极,并除去表面氮化硅膜,得到干净的硅片;(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后,用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质;(5)利用超声波清洗,得硅片;(6)向步骤(3)的混合液中加入纯净的铝粉进行还原,得到含有银和铝的混合物,高温加热分离,得到纯度较高的银块。本发明整个过程工艺简单,能够有效地降低电池片、硅片生产成本,获得电池片的银,起到较好的回收效果,达到增效节约成本的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 清洗 回收 处理 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳电池片清洗回收处理工艺,其特征在于:具体步骤包括:(1)将太阳能电池片进行分类挑选,对于整块电池片或者完好性超过三分之一的电池片,表面采用工业酒精清洗干净,去除异物后插入电池片承载盒中,垂直插入,电池片之间的距离为5~15mm;(2)将插有电池片的承载盒放入到装有硫酸中的槽体中浸泡1~10小时将铝背场除去,槽体加热温度为30~80℃,其中,硫酸浓度为40%~70%;(3)将去除铝背场后的承载盒中的硅片用纯水冲洗干净,放入王水中浸泡1~10小时,去除硅片上面银电极;按照王水与氢氟酸体积比10~15∶1的比例,在王水中加入氢氟酸,将去除银电极的硅片放入浸泡1~10小时,去除表面氮化硅膜,得到干净的硅片;(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后,用盐酸浸泡5~10小时,然后用HNO3进行浸泡1~3小时,用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质,然后使用纯水对硅片进行多次漂洗,以去除其上的反应后的剩余物,同时对漂洗后的液体进行pH值测量,漂洗过程直至所测量的漂洗后的液体pH值约为7时为止;(5)漂洗完成后,利用超声波清洗,清洗完成后,用脱水机对硅片脱水后,放入箱烘干,即得硅片;(6)针对步骤(3)中的混合液中,加入过量的纯净铝粉进行还原,当反应结束后,得到含有银和铝的混合物,然后采用高温加热的方式,进行分离,得到纯度较高的银块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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