[发明专利]一种锑化锌基热电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201310568668.1 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103572243A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 范平;郑壮豪;梁广兴;张东平;罗景庭 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46;C23C14/58;C23C14/14 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 518060 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种锑化锌基热电薄膜及其制备方法,其中,制备方法包括步骤:采用离子束溅射沉积法首先在绝缘衬底上镀制上一层Sb薄膜层,然后在Sb薄膜层上镀制一层Zn薄膜层,再在Zn薄膜层上镀制一层Sb薄膜层,镀制完成后,在具有惰性气体的气氛条件下,进行高温原位热处理制备得到锑化锌基热电薄膜。本发明的制备方法工艺简单、重复性好、原材料利用率高,不仅能保证高温退火过程中Zn的不缺失,同时可对锑化锌基热电薄膜各元素间进行高精度的控制和可控掺杂,能够有效优化薄膜结构和提高薄膜的热电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 锑化锌基 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锑化锌基热电薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:采用离子束溅射沉积法首先在绝缘衬底上镀制上一层Sb薄膜层,然后在Sb薄膜层上镀制一层Zn薄膜层,再在Zn薄膜层上镀制一层Sb薄膜层,镀制完成后,在具有惰性气体的气氛条件下,进行高温原位热处理制备得到锑化锌基热电薄膜。
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