[发明专利]一种真空电容传感器介质膜的制备方法在审
| 申请号： | 201310567788.X | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104637685A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 鞠洪建 | 申请（专利权）人： | 大连康赛谱科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01G5/01 | 分类号： | H01G5/01;H01G5/013 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116021 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空电容传感器介质膜的制备方法，真空电容传感器是图形发射器磁带机一个重要组成器件，容易发生介质膜破损，本发明通过选介质膜、刻红膜、蒸铝、光刻极板、安装、调试等步骤制作一个新膜以代替破损的旧膜，制造方法简单，成本低，仅为十几元，且新膜的耐磨性能好，安装方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 电容 传感器 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种真空电容传感器介质膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1.1、选介质膜：根据真空电容传感器的旧膜参数选取1.2、刻红膜:根据所选红膜尺寸，在其上刻相同的图形1.3、蒸铝:在选好的介质膜上蒸一层铝，电阻控制在10‑30欧姆1.4、光刻极板:在蒸好铝的膜上均上一层感光膜胶，放入烘箱烘干，用刻好的红膜对其复印、曝光、显影、腐蚀、去胶。
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