[发明专利]一种横向双极结晶体管驱动方法有效
| 申请号： | 201310567331.9 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103560084A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 袁珩;房建成;张晨;张宁 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;孟卜娟 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向双极结晶体管驱动方法，使用器件是同时具有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与双极结晶体管（BJT）特性的横向双极结晶体管，该器件已被证实具有金属氧化物半导体场效应晶体管工作模式、双极结晶体管工作模式与金属氧化物半导体场效应晶体管-双极结晶体管混合工作模式，并且本人在过去的研究中已经证明该器件的金属氧化物半导体场效应晶体管-双极结晶体管混合工作模式具有与其他模式相比更高的传导率，本发明提出一种新的工作模式即金属氧化物半导体场效应晶体管-混合临界工作模式（简称临界模式）具有更高的传导率。在本发明的支持下，横向双极结晶体管可以得到更好的应用特性，比如传感器领域或高能器件领域等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 结晶体 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双极结晶体管驱动方法，其特征在于：所使用的横向双极结晶体管是由门(gate，栅极)电极（1）、氧化硅层（2）、井区（3）、衬底层（4）、衬底电极（5）、井区电极（6）、漏极电极（7）、源极电极（8）组成，衬底电极（5）、井区电极（6）、漏极电极（7）和源极电极（8）分别在衬底层（4）与井区（3）的表面，衬底电极（5）在井区（3）外面，源极电极（8）为井区（3）的中心位置，漏极电极（7）在源极电极（8）的两侧且对称，“P+”电极表示正电荷参杂，“N+”表示负电荷参杂，各电极大小相等，距离约为0.5微米，采用0.35微米半导体工艺；该驱动方法中所述的门(gate，栅极)电极（1）电压输入值为不大于临界值，衬底电极（5）和漏极电极（7）的电压输入值为零，井区电极（6）的电流输入值为零，源极电极（8）的电压输入值为正值，此时被称为临界模式（Threshold mode）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
