[发明专利]一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310565663.3 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN103590110A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 夏士兴;莫小刚;庞才印;李兴旺;张月娟;朱建慧 申请(专利权)人: 北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: C30B31/08 分类号: C30B31/08
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 刘映东
地址: 100015 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法,属于激光晶体材料制备技术领域。所述方法包括:在惰性气氛下,分别将含有亚铁离子的掺杂物粉体以及硒化锌晶体放置在反应器高温区和低温区,通过热扩散来制备掺铁硒化锌晶体,进一步地,切割制备的掺铁硒化锌晶体,并使切割的掺铁硒化锌晶体的掺铁面之间进行热键合后,再次进行热扩散。本发明实施例惰性气氛的使用,可抑制低温区ZnSe晶体的挥发,从而显著提高低温区的温度,还可作为亚铁离子热扩散的载体,进而提高亚铁离子的掺杂浓度;通过切割掺铁硒化锌晶体,并将掺铁硒化锌晶体掺铁面间进行热键合后进行二次热扩散,进一步提高亚铁离子的掺杂浓度,更利于掺铁硒化锌晶体中亚铁离子的均匀分布。
搜索关键词: 一种 掺铁硒化锌 激光 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法,其特征在于,所述掺铁硒化锌激光晶体的制备方法为:在惰性气氛条件下,将含有亚铁离子的掺杂物放置在反应器高温区,将硒化锌晶体放置在反应器低温区,通过热扩散使所述亚铁离子进入所述硒化锌中,制备得到第一掺铁硒化锌激光晶体。
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