[发明专利]基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的制备方法，包括以下步骤：以石英片作为衬底，在石英片正面磁控溅射淀积一层Si3N4薄膜；在Si3N4薄膜上涂一层光刻胶，以电极图形作为掩膜板，紫外光曝光后除掉曝光的光刻胶；在处理后的石英片正面磁控溅射一层Pt薄膜；在丙酮中剥离光刻胶和光刻胶上面的Pt；在基片上表面再涂一层光刻胶，用与电极图形互补的图形作为掩膜板，紫外光曝光后除掉曝光的光刻胶；在石英片正面和背面磁控溅射一层Si3N4薄膜；在丙酮中剥离光刻胶和光刻胶上面的Si3N4。本发明制备方法工艺步骤简单，采用致密性高的氮化硅薄膜作为保护层，与集成电路制备工艺兼容。

主权项

一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）选取石英片作为衬底，清洗干净；（2）在石英片正面磁控溅射淀积一层Si3N4薄膜；（3）在Si3N4薄膜上涂一层光刻胶，以电极图形作为掩膜板，紫外光曝光；用相应的显影液除掉曝光的光刻胶；（4）在步骤（3）处理后的石英片正面磁控溅射一层Pt薄膜；（5）在丙酮中剥离光刻胶，去除光刻胶上面的Pt薄膜；（6）用与电极图形互补的图形作为掩膜板，重复步骤（3）；（7）在石英片正面和背面磁控溅射一层Si3N4薄膜；（8）在丙酮中剥离光刻胶，去除光刻胶上面的Si3N4薄膜。