[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201310551520.7 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103594589A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张翠 | 申请（专利权）人： | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管，包括：反射电极（1）、衬底（2）、非掺杂GaN或AlN缓冲层（3）、n型GaN层（4）、有源层（5）、p型GaN接触层（6）、p型AlGaN覆盖层（7）、ITO透明电极层（8），其中ITO透明电极层（8）具有开口，该开口贯穿ITO透明电极层（8）且开口底部位于p型AlGaN覆盖层（7）中，开口的底部和侧壁上的金属阻挡层（14），开口中的金属阻挡层（14）上的多层p接触电极（9-12）以及其上的键合引线（13）。本发明的GaN基发光二极管具有优良的电特性以及发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管，包括：衬底（2）；形成于衬底（2）背面的反射电极（1），其用作n接触电极；形成于衬底（2）正面上的非掺杂GaN或AlN缓冲层（3）；形成于非掺杂GaN或AlN缓冲层（3）上的GaN基外延层发光结构；形成在GaN基外延层发光结构上的ITO透明电极层（8），其中ITO透明电极层（8）具有开口，该开口贯穿ITO透明电极层（8）且开口底部位于GaN基外延层发光结构的p型AlGaN覆盖层（7）中；形成在开口的底部和侧壁上的金属阻挡层（14）；形成在金属阻挡层（14）上的多层p接触电极（9‑12）；以及形成在多层p接触电极（9‑12）上的键合引线（13）。
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