[发明专利]一种基于氮化铜薄膜的集成电路板制造方法无效
| 申请号： | 201310546250.0 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103596373A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李兴鳌;杨建波;吴振利;黄赛佳;侯雨轩;侍宇雨;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06;H01L21/48 |
| 代理公司： | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人： | 唐小红 |
| 地址： | 210023 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于氮化铜薄膜的集成电路板制造方法，利用磁控溅射镀膜方法在基板上渡一层氮化铜薄膜，使用氮化铜薄膜充当刻蚀电路的介质层，在激光作用下氮化铜发生分解生成铜附着在基板上，使用溶剂清除基板上的氮化铜薄膜，即完成集成电路板的制作。本发明将氮化铜的这种低温热分解特性运用到集成电路板中，并且对集成电路板的制作工艺进行改良，制作出全新且无毒的基于氮化铜的集成电路板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 薄膜 集成 电路板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氮化铜薄膜的集成电路板制造方法，其特征包括以下步骤：步骤1：选择基板，基板可以是阻燃材料：PCB板材、石英玻璃或云母板；步骤2：利用磁控溅射镀膜方法在基板上渡一层氮化铜薄膜，根据需要控制镀膜的时间来调节薄膜厚度；溅射的靶材为铜靶，工作气体氮气和氩气；步骤3：根据电路图，使用激光器，照射镀有氮化铜薄膜的基板一面相应位置，刻蚀出所需要的线路；步骤4：将线路板放到稀盐酸中将氮化铜溶解，取出净干。
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