[发明专利]一种为TTL和CMOS电路提供电压转换的接口电路

摘要

一种为TTL和CMOS电路提供电压转换的接口电路，可以有效率地让TTL输出电压下降到CMOS输入阈值范围内的接口电路。接口电路包括连接到产生一个等于两倍的基极发射极电压降的输入电压阈值的双极性和场效应器件。接口电路也包括了一个开关电路部分，它包括一个P沟道MOS晶体管和一个N沟道MOS晶体管。

主权项

一种为TTL和CMOS电路提供电压转换的接口电路，其特征是：接口电路，特别是用来耦合一个TTL电路的输出到一个CMOS电路的输入端的接口电路包括：电流调节的和产生偏置电压源的装置，连接到所述电流调节和偏置电压产生装置的偏置电压源，用来将任何从一个TTL电路的输出接收到的输入电压转换到一个适合驱动一个CMOS电路的电平，并且与从一个TTL电路的输出接收到的输入电压信号相一致，电流调节和产生偏置电压源的装置，包括双极型晶体管装置，它有多个晶体管电耦合在每个基极，为了调节电流并且提供一个在一个确定的值上的偏置电压输出，并且MOS晶体管装置有许多连接到双极型晶体管装置的所述的许多的晶体管的电极的MOS晶体管，来为所述双极型晶体管装置提供一个电流吸收端；双极型晶体管装置包括许多NPN晶体管装置，每个MOS晶体管装置的MOS晶体管都电耦合到一个不同的双极型晶体管装置的双极型晶体管的发射极；所述许多的NPN晶体管装置包括四个NPN晶体管装置，其中的三个作为共集电极、达灵顿晶体管被连接，达林顿NPN晶体管中的一个基极连接到第四个NPN晶体管装置；其中四个NPN晶体管的集电极连接到一个电压源Vcc；MOS晶体管装置包括许多N沟道MOS晶体管装置；接口电路包括一个连接到每个N沟道MOS晶体管装置的栅极的电阻；接口电路包括电流源P沟道MOS晶体管装置和一个连接到电流源P沟道的漏极的电容；N沟道晶体管装置还包括四个N沟道MOS晶体管装置；接口电路还包括一个电流源P沟道MOS晶体管装置，所述电流源P沟道MOS晶体管装置连接到N沟道MOS晶体管装置的其中之一；其中电流源P沟道MOS晶体管装置连接到所述N沟道MOS晶体管装置之一的漏极，所述电流源P沟道MOS晶体管装置的源极连接到一个电压源（Vcc）；其中双极型晶体管装置包括许多NPN晶体管装置；其中NPN晶体管装置包括四个N沟道MOS晶体管装置，其中的三个作为共集电极、达灵顿晶体管被连接，达林顿NPN晶体管中的一个基极连接到第四个NPN晶体管装置；其中四个NPN晶体管的集电极连接到一个电压源Vcc；接口电路包括一个连接到每个N沟道MOS晶体管装置的栅极的电阻；接口电路包括电流源P沟道MOS晶体管装置和一个连接到电流源P沟道的漏极的电容；其中电阻连接到这些NPN晶体管装置其中之一的发射极；其中电阻连接在地电势和达灵顿晶体管连接的NPN晶体管装置其中之一的发射极之间；接口电路包括一个电流源P沟道MOS晶体管装置连接到所述的那些N沟道MOS晶体管装置的其中之一，电流源P沟道MOS晶体管装置有一个栅电极连接到地电势，电流源P沟道MOS晶体管装置的源极连接到一个电压源（Vcc）；其中每个NPN晶体管装置的发射极都连接到N沟道MOS晶体管装置的一个漏电极；其中每个N沟道MOS晶体管装置的源电极都连接到地电势。