[发明专利]快速以读代写的存储器纠错方法有效
| 申请号： | 201310537686.3 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103531246A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大;付妮 | 申请（专利权）人： | 西安华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快速以读代写的存储器纠错方法，主要解决了现有以读代写的存储器纠错方法在处理存在数据屏蔽和不存在数据屏蔽两种不同的工作条件下响应时间差别较大，会对ECC的编码及写入过程造成影响的问题。该快速以读代写的存储器纠错方法，包括1.写使能信号被触发时，不判断是否存在数据屏蔽而直接触发读使能信号；2.若存在数据屏蔽，外部数据未被屏蔽的部分写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理等；该方法减少了tB的时间去进行数据准备，使得能够用于ECC编码的有效数据时间增大，减少了额外电路的使用，降低系统出错的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 代写 存储器 纠错 方法 | ||
【主权项】：
一种快速以读代写的存储器纠错方法，其特征在于，包括以下步骤：1]写使能信号被触发时，不判断是否存在数据屏蔽而直接触发读使能信号；2]若存在数据屏蔽，外部数据未被屏蔽的部分写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理；外部数据被屏蔽的部分不写入存储阵列，而在存储阵列中读出与被屏蔽的外部数据对应的数据，然后通过读出电路传输至ECC进行处理；上述外部数据未被屏蔽的部分和被屏蔽的部分的读出电路同步传输；3]若不存在数据屏蔽，外部数据写入存储阵列，然后再通过读出电路传输至ECC进行处理。
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