[发明专利]一种氮化钽反应离子刻蚀方法

摘要

本发明揭示了一种氮化钽反应离子刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤：步骤S1、将带有氮化钽膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；步骤S2、向反应腔室中通入刻蚀气体；主要刻蚀气体为含有氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体，辅助刻蚀气体包括氧气、氩气、氮气的一种或多种；主要刻蚀气体流量为10～300sccm；辅助刻蚀气体总流量为10～2000sccm；反应腔室的温度控制在0℃～65℃；反应腔室的压力控制在10～300mTorr；步骤S3、用低偏置功率20～50瓦对硅片进行刻蚀。本发明可以最大程度的减少氮化钽刻蚀过程中产生副产品钽的聚合物，降低了后续清洁的难度。

主权项

一种氮化钽反应离子刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：步骤S1、将带有氮化钽膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；步骤S2、向反应腔室中通入反应气体100sccm CF4或SF6或Cl2、10sccm O2、170sccm AR；步骤S3、将反应腔室压力控制在50mt，温度控制在35℃；步骤S4、用低偏置功率20～50瓦对硅片进行刻蚀，源极功率根据刻蚀速率的需要调整，功率和刻蚀速率成正比；步骤S5、经过设定时间的刻蚀反应，得到含有很少量副产品的成型基片，所述副产品主要为钽的聚合物，降低后续清洁的难度；步骤S6、刻蚀后的清洗：清洁气体包括氧气和含氟F或/和氯Cl或/和溴Br元素的气体；具体包括：步骤S61、将干法刻蚀后的器件放入有各向同性刻蚀功能的腔室中；步骤S62、向该腔室中通入清洁气体，清洁气体包括氧气和含氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体，含氟F或/和氯Cl或/和溴Br气体的含量为清洁气体的0.5～20%；步骤S63、控制所述腔室的温度在70℃～250℃，控制所述腔室的压力在0.5～3Torr；步骤S64、用等离子体对硅片进行低能反应刻蚀，去除器件表面和侧壁的含有钽的聚合物。