[发明专利]氮化钽干法刻蚀后的清洁方法在审
| 申请号： | 201310533119.0 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104599942A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 邱鹏;王宇翔;张挺;杨鹤俊 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种氮化钽干法刻蚀后的清洁方法，所述清洁方法包括如下步骤：将刻蚀后的器件放入有各向同性刻蚀功能的腔室中；向该腔室中通入清洁气体，清洁气体包括氧气和含氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体，含氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体的含量为清洁气体的0.5～50%；控制所述腔室的温度在70℃～250℃，控制所述腔室的压力在0.5～3Torr；用等离子体对基底进行反应刻蚀，去除基底表面和侧壁的含有钽的聚合物。本发明提出的氮化钽干法刻蚀后的清洁方法，可代替湿法清洁，工艺简单、时间短，工艺成本低，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 钽干法 刻蚀 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化钽干法刻蚀后的清洁方法，其特征在于，所述清洁方法包括如下步骤：将刻蚀后的器件放入有各向同性刻蚀功能的反应腔室中；向该反应腔室中通入清洁气体，直至清洁气体充满反应腔室，清洁气体为氧气，以及CF4或/和SF6或/和NF3，CF4或/和SF6或/和NF3的含量为清洁气体的1～50%；控制反应腔室的温度在80℃～120℃，控制反应腔室的压力在0.5～3Torr；用100～500瓦功率的等离子体对基底进行反应刻蚀；经过设定时间的反应去除基底表面和侧壁的含有钽的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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