[发明专利]石墨烯场效应管的制作方法

摘要

本发明提供一种石墨烯场效应管的制作方法,包括：提供表面形成有二氧化硅层的半导体衬底；形成浮动电势交流介电泳结构：至少一第一子电极的第一电极部、至少包括一第二子电极和子电极连接线的第二电极部和至少一第三子电极的第三电极部，所述子电极连接线贯穿连接所有所述第二子电极，第二子电极和第三子电极的顶端分别一一相对；形成碳纳米管悬浮液；利用交流介电泳工艺使得每一相对的第二子电极和第三子电极之间连接一碳纳米管；固定所述碳纳米管；利用溅射工艺形成金属层；去除所述金属，形成石墨烯纳米带。本发明成批量实现单根碳纳米管的精确对准，将单壁碳纳米管裁剪成石墨烯纳米带，使之呈现出典型的半导体特性。

主权项

一种石墨烯场效应管的制作方法，其特征在于，所述石墨烯场效应管的制作方法至少包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有二氧化硅层；在所述半导体衬底上形成浮动电势交流介电泳结构，所述浮动电势交流介电泳结构包括：第一电极部、第二电极部和第三电极部，其中第一电极部至少包括一第一子电极，第二电极部至少包括一第二子电极和子电极连接线，所述子电极连接线贯穿连接所有所述第二子电极，第三电极部至少包括一第三子电极，所述第一子电极和第二子电极，第二子电极和第三子电极的顶端分别一一相对；在所述半导体衬底和浮动电势交流介电泳结构的表面形成碳纳米管悬浮液；利用交流介电泳工艺使得每一相对的第二子电极和第三子电极之间连接一碳纳米管；利用溅射工艺在所述半导体衬底和碳纳米管上形成金属层；腐蚀所述金属，同时破坏与所述金属连接的碳纳米管的上表面结构，以在所述第二子电极与第三子电极之间的半导体衬底上形成石墨烯纳米带。